Компания Infineon представила 40-вольтные MOSFET семейства OptiMOS 5. Данные транзисторы относятся к категории Normal Level MOSFET и имеют повышенное значение порогового напряжения (по сравнению с другими низковольтными MOSFET), что обеспечивает защиту от ложного срабатывания при работе в средах с высоким уровнем шума. Низкий уровень соотношения Q_GS/Q_GD транзисторов позволяет уменьшить максимальное значение скачков напряжения на затворе, что способствует еще большему росту устойчивости транзистора к нежелательной коммутации.

MOSFET поставляются в компактном корпусе SuperSO8 5×6, имеют широкий диапазон рабочих температур (-55…175°C) и прекрасно подходят для применения в приложениях с батарейным питанием, низковольтных приводах, электроинструментах и во многих других решениях.

Особенности

• пороговое напряжение соответствует Normal Level (типовое значение 2,8 В);
• температура перехода (Tj) 175°C;
• низкий заряд затвора, соотношение Q_GD/Q_GS <0,8;
• высокая помехоустойчивость;
• широкая зона нормальной работы (SOA) в линейном режиме;
• высокий рабочий ток.

Области применения

• решения с батарейным питанием;
• электроинструменты;
• системы управления аккумуляторными батареями;
• низковольтные приводы.

На рисунке представлен пример использования новых MOSFET в схеме управления двигателем.