Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств.
По сравнению с традиционными ключами на базе кремния, такими как IGBT и MOSFET, карбид-кремниевые (SiC) полевые транзисторы обладают существенными преимуществами. Приборы CoolSiC™ выпускаются на напряжения 1700, 1200 и 650 В. Они идеальны для таких применений, как инверторы для солнечной энергетики, системы хранения энергии, электропривод, различные зарядные устройства и ключевые источники электропитания.
Карбид-кремниевые транзисторы сочетают в себе отличные характеристики, надёжность и простоту использования в разработках. Технология CoolSiC™ выводит КПД и надёжность новых устройств силовой электроники на доселе невиданный уровень.
НОВОСТИ
Смотреть все новости
LD/R2 — ультракомпактные источники питания Mornsun на печатную плату
Компания Mornsun обновила популярную линию миниатюрных AC/DC-преобразователей LD(LDE)
Дата: 09/04/2021
Новая серия импульсных преобразователей RECOM с увеличенным выходным током
Компания RECOM увеличила диапазон номинальных выходных токов неизолированных импульсных изделий серии RPMH с 0,5 до 1,5 А
Дата: 08/04/2021
ВАКАНСИИ
Менеджер по продажам электронных компонентов
г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет