SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют меньший на 75% уровень потерь на переключение и меньшее на 50% значение потерь проводимости в рабочем режиме при температуре кристалла 100…150°С. Сопротивление открытого канала SiC MOSFET по сравнению с традиционными MOSFET гораздо менее зависит от температуры.
Новые транзисторы предлагаются в двух типах корпусов: TO-247-3 и TO-263-7.
Технические особенности:
- Слабая зависимость сопротивления канала Rds(on) от температуры;
- Рабочая температура кристалла до 175°С;
- Низкие значения паразитных емкостей;
- Высокие динамические параметры;
- Увеличенная плотность мощности преобразователя;
- Снижение размера, веса и требований к охлаждению преобразователю;
- Два варианта исполнения по корпусам – TO-247-3 и TO-263-7 (D2PAK).
Целевые применения:
- Высоковольтные источники питания мощностью до 500 Вт;
- Преобразователи для собственных нужд транспорта;
- Инверторы для солнечной энергетики;
- Источники бесперебойного питания.
НОВОСТИ
Смотреть все новости
TEP 40/60UIR – новый тип DC/DC с ультрашироким входом от TRACO для подвижного состава
Компания TRACO разработала две серии компактных DC/DC-преобразователей мощностью 40 и 60 Вт
Дата: 25/02/2021
X-NUCLEO-IKS02A1 – плата для оценки индустриальных MEMS-датчиков
Новая отладочная плата от ST Microelectronics для быстрой оценки возможностей индустриальных датчиков движения
Дата: 20/02/2021
ВАКАНСИИ
Менеджер по продажам электронных компонентов
г. Зеленоград, полная занятость, опыт работы от 2х лет